φ300mm硅片抛光后清洗工艺的挑战--清除深亚微米颗粒的方案

摘要：

随着半导体制造业的工艺进步,线宽尺寸的不断减小,对表面覆膜硅片清洗的质量要求也变得越来越严格.当前这类清洗涵盖了从硅片表面有效地去除深亚微米颗粒(<100 nm)和将金属杂质数量控制在1E+10(原子)个/cm2以下这两项要求.传统的洗刷机(Scrubber)清洗方式及兆声波缸槽式湿法清洗工艺正面临这些新的不断深化的工艺技术要求的挑战.根据最新<国际半导体技术指南(ITRS)>对提高硅片表面加工水平和深亚微米颗粒去除能力要求,论证了能同时实现上述目标的清洗方法.这个方法采用以传统缸槽整批处理式湿法清洗机台和单片兆声波清洗机相结合的方案,整批处理式湿法机台的沉浸技术被应用于包括去有机膜、去原生氧化层和去金属杂质的硅片表面处理.与之相比,单片兆声波清洗通过提供一个均衡的兆声波能场,增强了去除深亚微米颗粒的能力,从而更高质量地完成硅片表面清洗.为了验证这种方法的有效性,对φ300 mm再生抛光片进行上述清洗工艺的效果评定.

关键词：φ300 mm圆片、湿式批量清洗、兆声单片清洗、纳米微粒去除

所属期刊栏目：33

分类号：TN305.97(半导体技术)

在线出版日期：2004-12-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：16-21