期刊专题

硅晶片表面污染物去除的关键工艺

引用
硅晶片的清洗通常是在一个”过流(overflow)”清洗槽中进行,其中流过晶片的水流平均速度为1 cm/s,而在晶片表面的速度则为零.清洗效率受到污染物从硅片表面扩散出并进入到水流速率的限制.报告了清洗效率的提高,通过对初次将污染物扩散进停滞层的1min循环进行重复,然后”倾倒”清洗槽,从而去除大部分污染的停滞层.通过旋转晶片,并利用离心力去除更大部分的停滞层,每个清洗循环可将清洗效率再提高10倍”1”.与目前的浸泡式清洗技术相比,本方法可以完全去除可溶性污染物,而使用的水量降低20倍.

洗涤、清洗、倾倒清洗、倾斜清洗、离心力、扩散、喷雾处理器、湿法工作台、旋转清洗甩干机、使用水量

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TN305.97(半导体技术)

2004-09-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共7页

27-32,77

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电子工业专用设备

1004-4507

62-1077/TN

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2004,33(9)

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