化学机械抛光技术现状与发展趋势

摘要：

概述了ITRS对铜互连工艺提出的要求及90～65 nm CMP技术所面临的挑战,介绍了W,STI,Cu/低k材料CMP及其清洗和终点检测技术的发展现状,最后讨论了CMP技术的一些发展趋势.

关键词：CMP、浅沟道隔离、铜/低k材料、清洗、终点检测、发展趋势

所属期刊栏目：33

分类号：TN305.2(半导体技术)

在线出版日期：2004-07-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1-6