当前IC制造的几种新工艺

摘要：

2001<国际半导体技术指南(ITRS)>要求2004年IC芯片特征尺寸达90 nm.为了实现这个规划,必须采用IC制造的多种新工艺,如铜互连、低k绝缘层、CMP、高k绝缘层、应变硅和SOI等.

关键词：芯片、IC制造、新工艺

所属期刊栏目：33

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2004-04-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：70-75