期刊专题

用于130 nm/90 nm新工艺开发的铜CMP阻挡层磨料系统

引用
通过与实验室的CMP和集成工程师合作,采用测试系统观察两种或两种以上混合配方磨料的选择比.实验数据表明,通过改变单个化学试剂组分的浓度改变磨料的选择比效果突出,磨料配方师可以简便地修改磨料配方.这种方法的优点是,如果改变集成方法或特殊膜层,可以很快地重新优化磨料.如SiN膜取代TEOW淀积氧化物膜,对新系统可以容易地重新优化磨料.介绍了几种磨料组分浓度的去除速率和选择比.

新工艺术开发、铜CMP、磨料系统、选择比、去除速率

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TN405(微电子学、集成电路(IC))

2004-05-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

22-25

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电子工业专用设备

1004-4507

62-1077/TN

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2003,32(6)

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