10.3969/j.issn.1004-4507.2003.05.004
适用于φ200 mm硅片工艺的立式扩散/氧化炉设计
简要介绍适用于φ200mm硅片工艺的立式扩散/氧化炉的几个关键部分的设计要点和控制方法,重点对炉温和颗粒控制方面进行较详细的论述.
立式炉、加热炉体、颗粒控制、标准接口
32
TN605(电子元件、组件)
2003-12-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
16-17,20
10.3969/j.issn.1004-4507.2003.05.004
立式炉、加热炉体、颗粒控制、标准接口
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TN605(电子元件、组件)
2003-12-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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