在集成电路量产中减少氧化膜CMP(化学机械研磨)的缺陷

摘要：

在超大规模集成电路的生产中,减少氧化膜CMP中的各种缺陷一直是工程师们的工作焦点之一.实际上这些缺陷的尺寸、形状、深度等能为我们寻找它们的根源提供许多有益的信息.例如:在肉眼下可见的长、直、深的划伤可能与研磨垫修整器有关;只有在先进的检测设备下才可见的轻微、连续的划伤与与研磨剂有关.对常见缺陷进行分类,并提供一些可见的缺陷产生机制,同时也讨论了如何通过日常检测来监视真正产品上的缺陷.

关键词：氧化膜CMP、缺陷、划伤、超大规模集成电路

所属期刊栏目：32

分类号：TN305.2(半导体技术)

在线出版日期：2003-11-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：21-24