液态源化学气相淀积制备SiO2薄膜的设备研制

摘要：

采用液态有机硅源的等离子体增强化学气相淀积设备是通向深亚微米时代的桥梁.介绍研制的液态源化学气相淀积设备的工作原理、结构特点和工艺结果,制备的SiO2薄膜膜厚均匀性±2%,折射率1.452±0.014,生长速率40 nm/min.

关键词：液态源、等离子体、化学气相沉积、设备

所属期刊栏目：32

分类号：TN304.05(半导体技术)

在线出版日期：2003-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：55-57