向50 nm拓进的光学光刻技术

摘要：

非光学下一代光刻技术的缓慢进展和国际半导体技术发展规划(ITRS)的加速,使光学光刻肩负着IC产业的重任,进一步向亚波长图形领域进军.为此,人们开发了大量的光学光刻扩展技术.其中包括传统的缩短波长和增大数值孔径,以及为了扩展最小间距线间图形的分辨力而提高部分相干性.通过这些途径,在193 nm曝光中实现了＞0.80的数值孔径和0.85的部分相干性,并将进一步向157 nm乃止126 nm过渡.此间,离轴照明(OAI)、移相掩模(PSM)和光学邻近效应校正(OPC)等K1因子将作为分辨力提高技术的核心,补充到光学光刻技术范畴.此外,光学光刻的扩展还将通过像场尺寸缩小和倍率增大的方法使步进扫描光刻机更好地支持并可望进入至少70 nm的技术节点,乃至50 nm的下一代光刻.

关键词：光学光刻、193 nm、157 nm、分辨力提高、步进扫描、低K1值成像

所属期刊栏目：30

分类号：TN305.7(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1-7