365～193nm曝光的亚半微米多晶硅栅控制

摘要：

综述了测量越过典型有源区形貌的多晶硅栅线宽偏差,采用光刻模拟程序计算.采用顶层和底层抗反射涂层与否,对从365nm曝光的0.40μm到193nm曝光的0.225μm范围抗蚀剂成像中所有线宽进行了计算.

关键词：光学光刻、模拟、多晶硅、抗反射涂层

所属期刊栏目：29

分类号：TN305.7(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：50-56