深亚微米光学光刻工艺技术

摘要：

光学光刻的生命力仍然在不断延续,即使在0.13μm及0.13μm以下集成电路制造水平上,光学光刻仍然是一个非常重要的候选者.深亚微米光学光刻工艺技术目前面临着越来越严重的挑战.对深亚微米光学光刻中的一些关键工艺技术如移相光刻、光学邻近效应校正、远紫外光刻胶、套刻对准误差等进行了论述.

关键词：移相掩模、光学邻近效应、远紫外光刻胶、对准

所属期刊栏目：29

分类号：TN305.7(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：8-12