150nm成像的0.7NA 远紫外步进扫描系统

摘要：

为了拓展KrF光刻在小于180nm的SIA设计规则技术阶段的制造能力,需要一种最大0.7NA透镜的远紫外步进扫描曝光系统来提供足够的工艺容限.面临着SIA的150nm设计规则技术阶段,采用248nm光刻的制造难题包括接触孔复印,疏密图形偏差控制以及可满足全视场CD的均匀性.所有这些均得益于更大数值孔径的透镜.论述了在一台PAS5500/700B远紫外步进扫描系统中取得的实验结果.该机的设计是在PAS5500/500机的基础上,采用一种新的0.7NAStarlithTM透镜、AERIALTMⅡ型照明系统和先进的ATHENA对准系统组成.得出了180nm和150nm以及更小尺寸的密集和单线条图形、180nm和160nm接触孔图形的成像结果.除成像性能外,还得出了像平面偏差,系统畸变标记、单机套刻和多机套刻结果.对于ATHENA对准系统、对准重复性以及在CMP加工后的片子上的套刻结果也给予展示.这种曝光设备可提供150nm设计规划技术阶段批量生产要求的成像能力和套刻性能,并具有应用于更小设计规则研究与开发的潜力.

机标关键词：成像性能、远紫外、步进扫描、对准系统、设计规则、技术阶段、套刻性能、图形、透镜、接触孔、大数值孔径、制造能力、照明系统、系统组成、生产要求、设计规划、扫描系统、曝光系统、曝光设备、偏差控制

所属期刊栏目：29

分类号：TN305.7(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共14页

页码：35-47