基于TEOS源LPCVD设备的设计开发

摘要：

在以TEOS源为SiO2薄膜淀积源的低压化学气相沉积(LPCVD)工艺过程中,频繁出现薄膜厚度均匀性差、表面颗粒度高、设备维护周期短的问题.针对这个问题,设计并开发出一种适用于半导体工艺中的立式LPCVD设备.在设备结构上,工艺腔采用双管式结构,以提高气氛场均匀性;在晶舟系统中,增加自旋转功能,以提高晶圆表面气体含量的均匀性;为延长设备维护周期,并降低工艺颗粒度,排气管道增加伴热带和冷阱装置.基于此,通过工艺验证,有效提高了设备在线生产应用的可靠性.

关键词：立式LPCVD、工艺腔、旋转舟架、排气管道

所属期刊栏目：45

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2024-01-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：56-60