高纯度碳化硅单晶粉料合成工艺

摘要：

从碳化硅晶体生长工艺理论角度分析碳化硅粉料合成的工艺机理,对国内合成工艺现状进行综述,分析粉料合成的物相、粒径、纯度以及氮含量对长晶工艺的影响,结合长晶试验理论结果,制定粉料合成的工艺目标.采用粉料原位合成方式获得0.5～2.0 mm(8～40目)粒径的碳化硅单晶生长用高纯度粉料,晶型单一,纯度大于5N.经过后处理生长获得6英寸4H晶型的碳化硅晶锭,晶型单一,电阻率均匀,微管指标达到0.1个/cm2以下.

关键词：晶型控制、粒径控制、氮含量

所属期刊栏目：45

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：山西省科技重大专项计划2021101030201002

在线出版日期：2024-01-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：46-50