10.14176/j.issn.1001-3474.2024.01.002
基于IPD技术的LC滤波器制备工艺
介质层制备工艺是基于IPD技术的LC滤波器制备的关键工艺.从介质层的制备流程入手,研究了影响PI介质层质量的匀胶、曝光、固化三个关键工艺因素,确定了LC滤波器中介质层的制备工艺参数,实现了厚度8 μm、厚度均匀性优于5%、最小互连孔径25 μm的介质层制备.按此工艺参数加工,得到LC滤波器样件,经性能测试,所制备LC滤波器的电学性能满足设计指标要求.
IPD技术、LC滤波器、介质层
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TN605(电子元件、组件)
2024-01-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
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