6英寸高纯半绝缘4H-SiC单晶电阻率均匀性

摘要：

GaN射频器件在通信基建上的大幅应用,推进了6英寸高纯半绝缘4H-SiC单晶的产业化需求.随着晶体直径增大,6英寸高纯半绝缘4H-SiC单晶存在易开裂、电阻率分布不匀的问题.利用有限元仿真设计,优化了热场分布,降低了晶体内热应力聚集,减少了晶体开裂.采用SIMS、拉曼光谱等手段分析了影响6英寸4H-SiC单晶内电阻率分布不均匀的因素,发现主要原因为正向SiC晶体小面生长机制导致N元素分布不均.采用分区高能粒子辐照处理工艺,进行分区深能级点缺陷调控,电阻率可控制在1011 Ω·cm以上,可将片内和片间电阻率最大值与最小值的比值控制在1个量级内,大幅提升电阻率均匀性.

关键词：高纯半绝缘、碳化硅单晶、有限元仿真、电阻率均匀性

所属期刊栏目：44

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：山西省科技重大专项计划资助项目20201102012

在线出版日期：2023-07-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：42-46