10.14176/j.issn.1001-3474.2023.03.009
高功率射频前端自激问题分析与评估
随着雷达技术的发展,基于GaN技术的功率器件开始逐渐应用于雷达组件中.在使得雷达集成度、功率密度不断提升的同时,也增加了微波系统的不稳定性.针对典型高功率射频前端自激问题,通过对小信号增益曲线及空间隔离度进行仿真分析,揭示了该自激问题的产生机理.随后通过加装吸收负载的方式,完成了对这一问题的解决.
雷达组件、自激问题、仿真分析
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TN95
2023-07-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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