粘接层空洞对功率芯片热阻的影响

摘要：

采用有限元数值模拟方法,建立金氧半场效晶体管(MOSFET)三维有限元模型,定义不同大小和位置的粘接层空洞模型,对器件通电状态下的温度场进行计算,讨论空洞对于热阻的影响.有限元仿真结果表明,随着芯片粘接层空洞越大,器件热阻随之增大,在低空洞率下,热阻增加缓慢,高空洞率下,热阻增加更明显;总空洞率一致时,不同位置空洞对应器件热阻的关系为中心空洞＞拐角空洞＞阵列空洞.采用双界面法对含有空洞缺陷的器件进行了热阻测试,将试验数据修正仿真结果,获得准确的空洞-热阻曲线,对于芯片粘接空洞工艺控制提供理论参考.

关键词：粘接空洞、温度分布、热阻、数值模拟

所属期刊栏目：44

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：广东省基础与应用研究基金项目2022A1515110385

在线出版日期：2023-07-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：13-16,20