超薄硅双面抛光片加工效率的提升

摘要：

用于5G通信芯片支撑层的超薄硅双面抛光片的生产是一个需要攻克的难题.该产品的技术难点在于,硅片厚度低至100μm,薄如纸张,采用传统粘蜡抛光工艺,加工效率极低且碎片率极高,同时硅片几何参数无法保证,成品率较低.由于磨削工艺可有效减少硅片表面的损伤层、改善几何参数,所以针对超薄硅片的加工,采用贴膜抛光工艺可以保证抛光的效率和成品率.在硅片腐蚀后采用磨削+贴膜抛光的工艺,解决了超薄硅双抛片加工效率低、碎片率高、几何参数难以保证、成品率低的问题.

关键词：硅片、双面抛光、磨削

所属期刊栏目：44

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2023-03-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：50-52