掩埋异质结激光器的Mesa制备工艺

摘要：

掩埋异质结结构的半导体激光器具有阈值低、光束质量好的优点.台面(Mesa)制作是掩埋结激光器加工过程中的一步关键工艺,采用传统的全湿法腐蚀工艺制作台面,3英寸圆片内腐蚀深度和器件输出功率水平差异较大.而采用干法刻蚀加湿法腐蚀工艺技术,制备出的台面表面光滑、侧壁连续,腐蚀深度差异为6％,最终器件输出功率水平的差异仅为2％.利用该掩埋结技术制备的1550 nm大功率激光器均匀性有了较大提升,900μm腔长单管的阈值电流约12 mA,300 mA工作电流时功率输出100 mW.

关键词：Mesa、掩埋结、干法刻蚀、均匀性

所属期刊栏目：44

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2023-03-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：14-17