小型化6～18GHz数控移相器的设计应用

摘要：

基于0.15μm砷化镓赝高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺研制了一种6～18 GHz六位数控移相器,并将其应用在多功能芯片的设计中.根据移相器的带宽要求,5.625°、11.25°、22.5°采用桥T型全通网络结构,45°、90°和180°采用开关选择型全通网络结构.六位数控移相器的有效面积小于3 mm×0.8 mm,在片测试结果表明,芯片在6～18 GHz的频带内移相精度≤3.5°,附加调幅范围介于-0.8～0.8 dB之间.

关键词：砷化镓PHEMT、数控移相器、全通网络

所属期刊栏目：44

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2023-03-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：6-8,17