基于正交试验的SiC板热变形仿真分析

摘要：

相较于一般材料,SiC在硬度、临界击穿电场、热导率方面具有诸多优势,已经成为第三代半导体的重要材料.SiC板用于芯片制程设备时,不同厚度、不同温度下的热变形难以计算且试验测量困难,提出利用正交试验方法对SiC板的热变形开展仿真研究.回顾了热传导理论,推导出SiC板热变形的解析计算方法;设计了SiC板正交试验方案,总结了仿真热变形的流程;利用ANSYS-Workbench软件对正交试验方案进行了热力学仿真分析,并与解析方程式结果进行对比分析,结果表明SiC板在不同厚度、不同温度下热变形满足线性关系.

关键词：正交试验、热变形、ANSYS-Workbench

所属期刊栏目：43

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2022-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：330-333