10.14176/j.issn.1001-3474.2022.03.009
回流热冲击对射频SiP导电胶粘接强度的影响
随着射频领域小型化、多功能、高集成的需求增长,系统级封装成为射频组件新的发展方向.基于高温共烧陶瓷基板封装的SiP组件,结合装配工艺过程,研究植球、封装堆叠、表面贴装阶段的热冲击对各向同性环氧导电胶粘接强度的影响,对比了三种导电胶在多次热冲击下粘接强度的变化.试验结果表明,回流热冲击在一定程度上降低了导电胶的粘接强度,随着回流次数增加导电胶强度的降幅逐渐趋于稳定,经历10次回流后的导电胶强度仍然高于GJB 548B要求.
系统级封装、导电胶、热冲击、剪切强度
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TN405(微电子学、集成电路(IC))
2022-05-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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