侧入射探测器(MPD)Ⅴ型槽反射镜工艺制备

摘要：

侧入射器件在低成本的表面混合集成上有着广泛应用,而Ⅴ型槽反射镜制备是实现侧入射探测器的重要工艺,在(100)InP圆片抛光背面(制备p-i-n探测器)使用TiO2做为腐蚀掩膜,通过两步光刻套刻技术对腐蚀侧壁进行保护,解决了掩膜侧蚀问题,用HBr与H3PO4混合腐蚀液对InP图形窗口进行各向异性腐蚀,制备了与顶部p-i-n探测器精确对准的Ⅴ型槽反射镜.该Ⅴ型槽反射镜深度97μm,镜面角度54.7°,与Ⅴ型槽反射镜垂直方向剖面为倒台型结构,成功应用到侧入射探测器(MPD)芯片当中.

关键词：V型槽反射镜、TiO2掩膜、侧入射探测器、V型槽

所属期刊栏目：43

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2022-05-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：143-145,152