基于GaAs pHEMT的1.0～2.4 GHz放大衰减多功能芯片

摘要：

基于0.25μm GaAs赝高电子迁移晶体管(pHEMT)工艺,研制了一种1.0～2.4 GHz的放大衰减多功能芯片,该芯片具有低噪声、高线性度和增益可数控调节等特点.电路由第一级低噪声放大器、4位数控衰减器、第二级低噪声放大器依次级联构成,同时在片上集成了TTL驱动电路.为获得较大的增益和良好的线性度,两级低噪声放大器均采用共源共栅结构(Cascode).测试结果表明,在1.0～2.4 GHz频带范围内,该芯片基态小信号增益约为36 dB,噪声系数小于1.8 dB,输出1 dB压缩点功率大于16 dBm,增益调节范围为15 dB,调节步进1 dB,衰减RMS误差小于0.3 dB,输入输出电压驻波比小于1.5.其中放大器采用单电源+5 V供电,静态电流小于110 mA,TTL驱动电路采用-5 V供电,静态功耗小于3 mA.整个芯片的尺寸为3.5 mm×1.5 mm×0.1 mm.

关键词：GaAs赝高电子迁移率晶体管(pHEMT);共源共栅结构;放大衰减多功能芯片

所属期刊栏目：43

分类号：TN40(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2022-03-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：90-93,108