薄膜有机集成电容的制作工艺

摘要：

以PI-5型聚酰亚胺(PI)电子涂料为介质层,在99瓷氧化铝陶瓷基片表面通过磁控溅射、光刻、电镀、蚀刻等传统薄膜电路工艺制作有机集成电容.分别研究了PI旋涂转速、旋涂时间、热处理制程等参数对PI厚度和均匀性的影响,最终通过优化过程工艺参数,得到厚度与设计值相符的PI膜层,且膜厚均匀性优于±5％,有机电容的容值精度优于±5％.PI有机电容与薄膜及半导体电路工艺高度兼容,在集成无源器件(IPD)制造中有着广阔的应用前景,有利于新一代系统的微型化、多功能和高密度集成.

关键词：聚酰亚胺(PI);有机电容;薄膜电路;集成无源器件(IPD)

所属期刊栏目：43

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2022-03-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：71-73,80