V型金丝间距对微波组件电性能的影响

摘要：

金丝键合是微波组件产品制造中的重要工艺,其中V型金丝应用广泛.针对V型金丝的键合间距对微波组件的电性能影响进行研究,运用仿真及实验的方法进行详细分析.分析结果表明,V型金丝间距增大,驻波比参数变小,插入损耗变小,相位差增大.

关键词：金丝键合;V型金丝;微波组件;电性能;有限元仿真

所属期刊栏目：42

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2021-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：224-227