功率芯片低热阻集成界面性能分析方法

摘要：

使用瞬态测量界面热阻的方法,分别研究了金锡共晶、纳米银浆半烧结和纳米银浆烧结等集成工艺对功率芯片散热性能的影响,证实了纳米银浆烧结工艺具有更低的界面热阻(0.215 K/W),是最优的低热阻集成工艺.在此基础上,结合X-ray成像方法和扫描电子显微成像方法,解释了产生该现象的微观机理.研究表明,利用瞬态法分析功率芯片封装内热阻是一种可靠有效的方法.

关键词：低热阻集成;瞬态热阻;纳米银浆;散热

所属期刊栏目：42

分类号：TN606(电子元件、组件)

在线出版日期：2021-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：192-194,219