基于硅基板的高速传输线研究

摘要：

基于高速I/O芯片和微波射频芯片对硅基板上互连线高速低损耗传输的需求,设计制备了分别在表层和内层传输的两种单端传输线结构,以S参数表征其传输特性,将设计仿真结果和测试结果进行了对比,其S11曲线吻合较好,但S21曲线差异明显,在2.5 GHz,表层传输线S21仿真结果和测试结果相差0.10 dB左右;内层传输线S21仿真结果和测试结果相差最大达1.35 dB.对工艺误差、介质电参数、金属粗糙度等引入传输损耗的因素进行了分析和仿真验证,认为精确控制PI层厚度等工艺参数,是提高传输线性能最关键的方法.

关键词：硅基板、传输线、S参数、测试

所属期刊栏目：41

分类号：TN605(电子元件、组件)

资助基金：装备发展部专项课题2017ZX01011101-005

在线出版日期：2020-03-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1-4,56