晶圆级高均匀性电镀工艺研究

摘要：

分析了晶圆级电镀工艺过程中影响镀层状态和厚度均匀性的主要因素,并通过优化电镀工艺参数和增加阳极挡板的方式,大大改善了镀铜层和镀锡层的厚度均匀性.在直径101.6 mm硅圆片上加工的Cu/Sn微凸点,整片上微凸点高度均匀性为3.5％,满足封装过程中的堆叠要求.

关键词：晶圆级电镀、厚度均匀性、阳极挡板、微凸点

所属期刊栏目：40

分类号：TN605(电子元件、组件)

资助基金：装发部预研项目61402090101

在线出版日期：2019-12-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：268-270,274