化学制备硫化铅芯片的光电性能研究

摘要：

把具有一定光电性能的硫化铅芯片封装在不同结构的外壳中,就构成了各种各样的硫化铅红外探测器.通过化学沉淀的方法制作硫化铅芯片,并且对硫化铅芯片进行了温度处理.经过一段时间的存放后测试硫化铅芯片的表面形态、物质构成、内部结构和晶体生长方向等.根据测量结果研究了硫化铅芯片不同的微观结构对其光谱和光电性能的影响,确定了提高硫化铅芯片光电性能的研究方向.

关键词：硫化铅芯片、化学沉淀、微观结构、光电性能

所属期刊栏目：40

分类号：TN362(半导体技术)

在线出版日期：2019-04-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：54-57