先驱体流延转化法制备碳化硅陶瓷基片

摘要：

为了改善碳化硅陶瓷基片的介电性能,开发不同于浆料烧结法的陶瓷基片制备新工艺.采用先驱体转化法,通过向先驱体中添加铍作为异质元素,再进行流延和烧成,制备出了含有铍元素的改性碳化硅陶瓷基片.对含铍碳化硅陶瓷基片的介电常数和介电损耗进行了表征,发现虽然其介电常数和介电损耗相比常用的Al2O3等陶瓷基片材料没有明显提升,但铍元素含量对介电常数和介电损耗曲线的峰值区频率有明显的影响,可通过调节碳化硅陶瓷中铍元素的含量制得在特定频率范围下具有低介电常数和低介电损耗的改性碳化硅陶瓷基片.

关键词：先驱体转化法、陶瓷基片、异质元素

所属期刊栏目：40

分类号：TN453(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2019-04-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：5-7,24