高锰酸盐去钻污与化学铜工序对聚酰亚胺的影响

摘要：

主要用红外光谱研究高锰酸盐去钻污和化学铜工序对聚酰亚胺的影响,同时进行试板制作,对切片进行观察,找出盲孔出现缺陷的根本原因.实验结果显示:在现有的实验条件下,不同的去钻污条件对聚酰亚胺有一定的影响,PTH工序除油药水中是否含有氢氧化钠对聚酰亚胺的影响显著.

关键词：聚酰亚胺、高锰酸盐去钻污、化学铜、盲孔、空洞、氢氧化钠

所属期刊栏目：39

分类号：TN41(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2019-01-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：339-341,345