氮化镓外延用硅衬底问题研究

摘要：

随着硅基氮化镓外延技术的不断突破,其专用的硅衬底材料的国产化问题日益凸显.分析了国产片外延后边缘滑移线密集和裂片问题,提出了硅片边缘控制和机械强度控制参数和技术指标,为满足功率器件级氮化镓外延需求的高质量硅衬底研制指明了一定的方向.

关键词：氮化镓、硅衬底、滑移线、机械强度

所属期刊栏目：39

分类号：TN305.2(半导体技术)

在线出版日期：2018-02-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：4-7