高纯半绝缘4H-SiC单晶衬底Si面外延石墨烯工艺研究

摘要：

高纯半绝缘SiC衬底上获得大面积、高质量石墨烯是富有挑战性的工作,外延层石墨烯材料的确认和性能表征也至关重要.研究了高纯半绝缘衬底上制备大面积外延石墨烯的工艺以及相关工艺参数(压力、温度、工艺时间)对外延石墨烯质量的影响.通过激光拉曼光谱、原子力显微镜、场发射扫面电镜等分析,测试了石墨烯材料的大小、形态,为后续工艺的改进提供参考.在1 650℃、500 Pa压力下生长2h制备的外延石墨烯,具有更高品质和表面连续性,拉曼光谱中2D峰的半高宽(FWHM)约为34 cm-1,能够用单峰洛伦兹拟合,预示着单层石墨烯的形成.

关键词：石墨烯、高纯半绝缘SiC单晶衬底、大面积

所属期刊栏目：38

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金项目61404117;国家高技术研究发展计划863重大专项资助项目2014AA041401

在线出版日期：2017-06-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：63-66,88