10.14176/j.issn.1001-3474.2016.06.014
厚膜混合集成电路再流焊工艺研究
厚膜功率型混合集成电路需要把金属外壳底座、成膜基片和功率芯片再流焊组装在一起,如果焊接工艺不当,便会形成空洞,影响电路功率散热。通过实际验证研究了产生空洞的原因,并从材料和工艺方法等方面优化工艺参数,获得了满意的焊接效果。
厚膜混合集成电路、再流焊、空洞
37
TN605(电子元件、组件)
2016-12-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
356-359
10.14176/j.issn.1001-3474.2016.06.014
厚膜混合集成电路、再流焊、空洞
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TN605(电子元件、组件)
2016-12-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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