金属封装VDMOS器件常见封装缺陷及控制

摘要：

金属封装VDMOS器件在军事以及航天领域应用广泛。芯片烧结、引线键合和平行缝焊是封装的三个主要工序，直接影响封装的成品率和器件长期可靠性。针对三大工序中常见的缺陷进行了描述和分析，并分别提出了控制措施和建议。

关键词：金属封装、VDMOS器件、缺陷

所属期刊栏目：37

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2016-05-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：99-102