薄膜电路制备中缓冲层对器件性能改善的研究

摘要：

利用磁控溅射法在氧化铝陶瓷上制备了Cu、Cr/Cu以及Cr/Cr-Cu/Cu，采用台阶仪、XRD、SEM以及半导体测试仪对薄膜的厚度、结构、表面形貌以及电学特性进行了表征与测试，采用胶带法对薄膜的附着力进行了测试。结果表明，Cr缓冲层的存在对薄膜的特性有改善作用。未沉积缓冲时，薄膜结晶度不高，表面粗糙，致密度不高，附着力差。对不同的阻挡层进行比较，当选择了合适的缓冲层以及优化后的沉积工艺后，薄膜的结晶质量有所改善，表面光滑，致密度高，附着力良好。

关键词：薄膜、缓冲层、溅射

所属期刊栏目：37

分类号：TN45(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：装备预先研究基金项目项目编号51318070119。

在线出版日期：2016-05-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：81-84