期刊专题

10.14176/j.issn.1001-3474.2016.02.002

高压IGBT表面钝化技术的研究进展

引用
高压功率半导体器件IGBT(绝缘栅双极晶体管)的表面钝化工艺是其芯片加工工艺的重要环节,其钝化层的质量直接影响IGBT器件的性能参数和长期可靠性。为了解决高压IGBT的表面钝化工艺问题,首先研究了功率半导体器件的钝化机理,随后调研了功率器件常用表面钝化材料的优缺点和国际上主流的高压功率器件表面钝化方案,分析总结出了适用于高压IGBT的表面钝化材料和表面钝化方案,最后指出了高压IGBT表面钝化技术的发展趋势和今后的研究方向。

高压IGBT、表面钝化、可靠性、钝化材料、钝化方案

37

TN305(半导体技术)

国家电网科技基金项目项目编号5455DW150005。

2016-05-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

67-70,98

暂无封面信息
查看本期封面目录

电子工艺技术

1001-3474

14-1136/TN

37

2016,37(2)

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn