毫米波RF MEMS开关的研制

摘要：

RF MEMS开关加工工序多，过程复杂，加工难度较大，影响开关加工质量的因素众多。从工艺流程入手，对加工过程中的牺牲层平坦化、牺牲层释放、薄膜微桥厚度及均匀性控制、薄膜微桥应力处理等关键技术和重要影响因素进行了分析。研制的20～40 GHz RF MEMS开关，其插入损耗≤0.4 dB，回波损耗≤-20 dB，隔离度≥20 dB，驱动电压50～100 V，热切换寿命≥106次。

关键词：RF MEMS开关、牺牲层平坦化、牺牲层释放、薄膜微桥、应力释放

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2016-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：35-39