硅单晶抛光片边缘亮线研究
随着集成电路用晶圆向大尺寸化方向发展,国内10~15 cm硅抛光片市场竞争日益激烈,外延及器件厂家对抛光片的表面质量和可利用率要求越来越高。边缘亮线是一种存在于硅片抛光面边缘的腐蚀缺陷,对抛光片的成品率及后续工艺质量有重要影响。通过对硅片边缘表面形貌进行微观分析,揭示了“边缘亮线”产生的机理,分别研究了抛光工艺条件和倒角工艺条件对边缘缺陷的影响,通过优化抛光工艺条件,消除了抛光片表面“边缘亮线”缺陷。
边缘亮线、表面形貌、成品率、抛光片
TN405(微电子学、集成电路(IC))
天津市青年基金项目项目编号12JCQNJC01700。
2014-09-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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