SiC外延衬底研究现状及其应用前景

摘要：

随着国民经济发展“节能减排”任务的加剧，以及新兴电子系统变化的要求，电子系统对半导体元器件技术提出了高密度、高速度、低功耗、大功率、宽工作温度范围、抗辐射和高可靠等性能的要求。SiC单晶材料作为新兴的三代半导体衬底材料正好满足这些要求，被认为是制备微波器件、高频大功率器件、高压电力电子器件的优良衬底材料。分别介绍了传统Si-C-H体系和高速Si-C-H-Cl体系SiC外延工艺研究现状，同时介绍了新颖的高纯半绝缘SiC外延工艺研究状况。论述了SiC外延衬底在电力电子器件、微波器件等方面的应用，阐述了SiC外延衬底在未来节能减排、经济建设中的重要性。

关键词：SiC外延层、导电衬底、高纯半绝缘

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家国际科技合作专项项目项目编号2012DFR10450,2013DFR10020。

在线出版日期：2014-09-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：253-257,279