基于多种添加剂的TSV镀铜工艺研究

摘要：

穿透硅通孔技术（TSV）是3D集成电路中芯片实现互连的一种新的技术解决方案，是半导体集成电路产业迈向3D封装时代的关键技术。在TSV制作主要工艺流程中，电镀铜填充是其中重要的一环。基于COMSOL Multiphysics平台，建立了考虑加速剂和抑制剂作用的硅通孔电镀铜仿真模型，仿真研究得到了基于硫酸铜工艺的最优电镀药水配方，并实验验证了该配方的准确性。

关键词：TSV、电镀、铜填充、3D封装

分类号：TQ153

在线出版日期：2014-08-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：239-241