n型4H-SiC单晶生长工艺研究

摘要：

采用PVT法掺氮得到n型4H-SiC体单晶。研究了生长温度、冷却孔直径、掺氮量对晶体结晶质量的影响。实验结果表明：生长温度过低或过高会引入多型；冷却孔过大会使晶体产生较大的热应力，导致晶体开裂；掺入较多的氮使SiC晶格畸变。通过调整温场、优化掺氮工艺，获得了生长n型4H-SiC单晶的工艺条件，生长出结晶质量较好的n型4H-SiC单晶。

关键词：n型4H-SiC、生长温度、冷却孔直径、掺氮量、结晶质量

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家国际科技合作基金项目项目编号2012DFR10450，2013DFR10020。

在线出版日期：2014-08-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：237-238,245