磷化铟单晶片抛光工艺研究

摘要：

磷化铟是制作高速器件和电路、光电集成电路的重要衬底材料，其抛光片的表面质量对后续的外延及器件性能有着重要的影响。表面粗糙度作为表征表面质量的重要参数指标，需要在抛光过程中严格控制。分析了磷化铟单晶片的抛光机理，通过对比不同抛光工艺条件下的表面粗糙度状况，分析了抛光布表面结构对晶片表面粗糙度的影响，通过改进精抛布表面结构，加工出了表面粗糙度小于0.3 nm的磷化铟双面抛光片。

关键词：磷化铟、表面粗糙度、双面抛光片、沟槽

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：科技部专项基金项目项目01。

在线出版日期：2013-09-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：303-306