大直径半绝缘4H-SiC单晶生长及表征

摘要：

采用升华法稳定地生长出7.62 cm半绝缘4H-SiC单晶.通过优化钒掺杂工艺获得了均匀分布的电阻率1011Ω·cm.用激光拉曼光谱仪对晶片进行扫描,结果表明SiC单晶晶型为4H晶型.半绝缘4H-SiC单晶微管密度最好结果小于2 cm-2.用高分辨X射线衍射术表征了7.62 cm 4H-SiC单晶衬底片的结晶质量,(0004)衍射摇摆曲线半峰宽为40",说明晶体结晶性较好.

关键词：半绝缘、4H-SiC、升华法

分类号：O771;O782(晶体缺陷)

在线出版日期：2012-12-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：242-245