坩埚在线圈中位置对大直径SiC单晶温度场影响

摘要：

利用Virtual Reactor模拟软件研究了大直径SiC晶体生长中坩埚在感应线圈内不同位置对坩埚内整体温度场、生长腔以及料源内温度场的影响。分析比较了生长腔内径向温度梯度以及轴向温度梯度的变化规律以及坩埚内部整体温度场的分布规律。以此为依据,优化了坩埚设计,获得了理想的适合大直径SiC单晶生长的温场,并成功生长出高质量的7.62cm SiC单晶。

关键词：SiC单晶、温度场、数值模拟

所属期刊栏目：32

分类号：O771;O782(晶体缺陷)

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：360-363