硅片CMP抛光工艺技术研究

摘要：

介绍了硅片机械-化学抛光技术,重点分析了10.16 cm硅片抛光加工过程中抛光液的pH值、抛光压力和抛光垫等因素对硅片抛光去除速率及表面质量的影响.通过试验确定了硅片抛光过程中合适的工艺参数,同时对抛光过程中出现的各种缺陷进行了分析总结,并提出了相应的解决方案.

关键词：硅片、化学机械抛光、去除速率、缺陷

所属期刊栏目：31

分类号：TN305.2(半导体技术)

在线出版日期：2010-12-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：299-302