InP/Si键合技术研究进展

摘要：

InP材料及其器件的研制是近年来研究热点之一,而键合技术又是光电子集成研究领域内一项新的制作工艺.利用键合技术结合离子注入技术可以InP薄膜及器件集成到Si衬底上,改善机械强度,降低成本,具有非常诱人的应用前景.概括地介绍了近年来InP在Si上的键合工艺及层转移技术研究进展,并对InP和Si的几种键合工艺进行了分析.降低InP和Si键合温度,进行低温键合是其发展趋势.比较几种键合技术,利用等离子活化辅助键合是降低键合温度的有效途径.

关键词：Si、InP、键合、层转移

所属期刊栏目：31

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金项目编号:No.60727003.中国科学院科研装备研制项目YZ200940和YZ200755

在线出版日期：2010-03-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：12-15