LDMOS功率放大器热效应最小化偏置电路设计

摘要：

LDMOS功率放大器的热效应会导致放大器的性能恶化,在LDMOS场效应管自热效应模型的基础上分析和仿真了一种最小化器件热效应的偏置电路设计.实验结果验证了偏置电路的仿真设计方法的有效性.

关键词：LDMOS、温度特性、功率放大器、偏置电路

所属期刊栏目：27

分类号：TN7(基本电子电路)

在线出版日期：2006-12-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：333-335